并行扩展总线及寻址方式-80C51单片机学习指导及解答

（1）并行扩展总线组成

并行扩展总线由数据总线DB、地址总线AB和控制总线CB组成。地址总线由P0口提供的低8位地址线A0～A7和P2口提供的高8位地址线A8～A15组成，总宽度为16位；数据总线D0～D7由P0口提供，宽度为8位；控制线有ALE、、、和。

（2）并行扩展容量

80C51可分别扩展64KB ROM（包括片内ROM）和64KB外RAM（包括扩展I/O口）。地址都是0000H～FFFFH，访问ROM是执行MOVC指令，信号控制；访问外RAM是执行MOVX指令，、信号控制。扩展I/O口，是将I/O口看做外RAM的一个存储单元，与外RAM统一编址，同样执行MOVX指令，用、信号控制。

（3）并行扩展寻址方式

并行扩展外ROM、外RAM的寻址方式有线选法和译码法两种。线选法电路连接简单，缺点是地址空间不连续，存储空间利用率不高，有地址重叠现象。译码法常用74139（双2/4译码器）和74138（3/8译码器）译码，存储空间利用率比线选法高。全译码时，可避免地址空间不连续。

（4）并行扩展线路连接方法

并行扩展线路连接的方法是低8位地址线由80C51 P0口送出，通过74373锁存器输出，与ROM、RAM芯片A0～A7相接；高位地址线由P2口输出，直接与ROM、RAM芯片的高位地址线相接，根数视芯片容量而定；数据线由P0口直接与ROM、RAM芯片D0～D7相接；控制线：读外ROM时由选通ROM的端；读/写外RAM时由、WR选通RAM的、WE端；片选线一般由P2口高位地址线担任。

（5）并行扩展外ROM(www.zuozong.com)

并行扩展外ROM可分为扩展EPROM和扩展E²PROM，EPROM的优点是相对价廉，且可多次擦写使用。缺点是无论擦除和写入都需要专门的设备，且必须整片擦写。电可擦除可编程只读存储器E²PROM克服了EPROM上述的缺点，一是可在线擦写，不需专门仪器设备，擦写电压5V，与80C51单片机电源电压相同（早期E²PROM芯片擦写电压为21V）。二是可以字节为单位擦写，不需整片擦写。但缺点是价格比EPROM贵得多，擦写的速度较慢（不能完全当做RAM使用）。但近年来，Flash ROM因其可多次编程擦写，价廉且使用方便，已经克服了EPROM、E²PROM的缺点，目前已成为应用的主流品种。

（6）并行扩展外RAM

80C51单片机片内有128字节的RAM，只能存放少量数据，对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统，则需要在片外扩展RAM。

80C51在片外扩展RAM的地址空间为0000H～FFFFH，共64KB，与ROM地址空间重叠。但因各自使用不同的指令和控制信号，因而不会“撞车”。读ROM时用MOVC指令，由选通ROM端；读/写外RAM时用MOVX指令，用选通RAM端，用选通RAM端。但扩展RAM与扩展I/O口是统一编址的，使用相同的指令和控制信号，设计硬件系统和编制软件程序时需注意统筹安排。

（7）并行扩展I/O口

并行扩展I/O口可以用TTL 74系列芯片和CMOS 4000系列芯片，也可以用专为微机系统设计的可编程I/O口芯片。用74系列芯片，扩展输入口常用74373，扩展输出口常用74377。推荐采用74HC系列芯片，74HC系列是一种高速CMOS芯片，其输入和电源电压规范同CMOS 4000系列，输出驱动能力和速度与74LS系列相当。用74系列芯片扩展I/O口的优点是价廉、线路简单、编程方便。

可编程I/O芯片主要有并行输入/输出接口芯片8255A、多功能接口芯片8155、键盘和显示器接口芯片8279。是20世纪80年代为单板机配套的I/O接口芯片，性价比较低，早已淘汰不用。